在等離子體蝕刻工藝中，也稱為干蝕刻，使用等離子體或蝕刻氣體來去除襯底材料，干蝕刻會產生氣態(tài)產物，這些產物應擴散到大量氣體中并通過真空系統(tǒng)排出，干蝕刻有三種類型（例如等離子蝕刻）：化學反應（通過使用反應性等離子體或氣體），物理去除（通常通過動量傳遞）以及化學反應和物理去除的組合，干蝕刻：利用不易被物理、化學作用破壞的物質光阻來阻擋不欲去除的部分，利用電漿的離子轟擊效應和化學反應去掉想去除的部分，從而將所需要的線路圖形留在玻璃基板上。

缺點包括許多化學廢物，其中許多是高酸性和多步過程，在蝕刻之前，需要掩蓋襯底的區(qū)域以獲得器件所需的詳細功能，在稱為光刻的過程中，將光敏光刻膠旋涂到晶圓上，然后將晶片預烘烤以除去光刻膠中多余的溶劑，然后將具有所需特征的切口的掩模放置在光致抗蝕劑的頂部，并使用紫外光固化任何曝光的光致抗蝕劑，當將腐蝕劑（一種腐蝕性化學品）施加到被掩膜的晶圓上時，在所有方向上未被掩膜覆蓋的區(qū)域中，蝕刻會以相同的速率發(fā)生，從而產生倒圓的邊緣。

現在可以對涂覆的晶片進行濕法蝕刻以將所需的圖案雕刻到晶片中，各向同性蝕刻，即在所有方向上均相等的蝕刻，是指基材的方向不影響蝕刻劑去除材料的方式，如果允許蝕刻劑反應足夠長的時間，如圖1所示，蝕刻劑將蝕刻掉稱為掩模底切的掩模下的基板材料，可以通過在底切掩模前先沖洗掉蝕刻劑，然后在通道上施加光刻膠來避免這種情況，加工出來的產品沒有毛刺，沒有臟污，表面更是光滑，蝕刻加工是其他機械的工藝都無法加工的高精密產品。