在一些蝕刻情況下，蝕刻會(huì)削弱掩模層，并產(chǎn)生形成空腔的傾斜側(cè)壁，底切的距離稱為偏差，濕蝕刻劑通常是各向同性的，并且它們?cè)诤衲のg刻期間導(dǎo)致較大的偏差，它們還需要處理大量有毒廢物，這種蝕刻方法在“后端”處理(BEOL)之前特別有效，在該處理中，晶片在晶片背面研磨之后通常非常薄，并且對(duì)熱或機(jī)械類(lèi)型的應(yīng)力非常敏感，晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設(shè)備的基礎(chǔ)；zui常見(jiàn)的晶圓是由硅或玻璃制成的。

當(dāng)反應(yīng)發(fā)生時(shí)，材料以類(lèi)似于向下蝕刻的速度被橫向移除，濕化學(xué)蝕刻通常是各向同性的，即使存在掩模，因?yàn)橐后w蝕刻劑可以滲透到掩模下面，如果方向性對(duì)于高分辨率圖案轉(zhuǎn)移非常重要，通常禁止?jié)穹ɑ瘜W(xué)蝕刻工藝，濕蝕刻是光刻之后的微細(xì)加工過(guò)程，該過(guò)程中使用化學(xué)物質(zhì)去除晶圓層，濕法刻蝕是半導(dǎo)體制造，微機(jī)械和微流控設(shè)備中的重要過(guò)程，需要微尺度的特征來(lái)優(yōu)化性能或創(chuàng)建層流態(tài)，這在宏觀上幾乎是不可能獲得的，由于能夠通過(guò)改變蝕刻劑濃度和蝕刻時(shí)間來(lái)輕松控制z軸蝕刻，因此常用于分層應(yīng)用。

現(xiàn)在可以對(duì)涂覆的晶片進(jìn)行濕法蝕刻以將所需的圖案雕刻到晶片中，各向同性蝕刻，即在所有方向上均相等的蝕刻，是指基材的方向不影響蝕刻劑去除材料的方式，如果允許蝕刻劑反應(yīng)足夠長(zhǎng)的時(shí)間，如圖1所示，蝕刻劑將蝕刻掉稱為掩模底切的掩模下的基板材料，可以通過(guò)在底切掩模前先沖洗掉蝕刻劑，然后在通道上施加光刻膠來(lái)避免這種情況，加工出來(lái)的產(chǎn)品沒(méi)有毛刺，沒(méi)有臟污，表面更是光滑，蝕刻加工是其他機(jī)械的工藝都無(wú)法加工的高精密產(chǎn)品。