蝕刻是從材料表面去除材料的過(guò)程，蝕刻的兩種主要類(lèi)型是濕蝕刻和干蝕刻（例如，等離子體蝕刻），涉及使用液體化學(xué)藥品或蝕刻劑去除基板材料的蝕刻工藝稱(chēng)為濕蝕刻，通常所指金屬蝕刻加工也被稱(chēng)為化學(xué)蝕刻加工，通過(guò)制版，經(jīng)過(guò)曝光（紫外線圖像轉(zhuǎn)移）到金屬上面，將圖案顯影后，將要蝕刻的保護(hù)層去掉，在蝕刻過(guò)程中接觸化學(xué)藥水，讓兩面的圖案通過(guò)化學(xué)腐蝕研磨的作用，形成凹凸和鏤空成形的效果，金屬蝕刻加工具有很強(qiáng)的針對(duì)性的工藝。

缺點(diǎn)包括許多化學(xué)廢物，其中許多是高酸性和多步過(guò)程，在蝕刻之前，需要掩蓋襯底的區(qū)域以獲得器件所需的詳細(xì)功能，在稱(chēng)為光刻的過(guò)程中，將光敏光刻膠旋涂到晶圓上，然后將晶片預(yù)烘烤以除去光刻膠中多余的溶劑，然后將具有所需特征的切口的掩模放置在光致抗蝕劑的頂部，并使用紫外光固化任何曝光的光致抗蝕劑，當(dāng)將腐蝕劑（一種腐蝕性化學(xué)品）施加到被掩膜的晶圓上時(shí)，在所有方向上未被掩膜覆蓋的區(qū)域中，蝕刻會(huì)以相同的速率發(fā)生，從而產(chǎn)生倒圓的邊緣。

現(xiàn)在可以對(duì)涂覆的晶片進(jìn)行濕法蝕刻以將所需的圖案雕刻到晶片中，各向同性蝕刻，即在所有方向上均相等的蝕刻，是指基材的方向不影響蝕刻劑去除材料的方式，如果允許蝕刻劑反應(yīng)足夠長(zhǎng)的時(shí)間，如圖1所示，蝕刻劑將蝕刻掉稱(chēng)為掩模底切的掩模下的基板材料，可以通過(guò)在底切掩模前先沖洗掉蝕刻劑，然后在通道上施加光刻膠來(lái)避免這種情況，加工出來(lái)的產(chǎn)品沒(méi)有毛刺，沒(méi)有臟污，表面更是光滑，蝕刻加工是其他機(jī)械的工藝都無(wú)法加工的高精密產(chǎn)品。