在等離子體蝕刻工藝中，也稱為干蝕刻，使用等離子體或蝕刻氣體來去除襯底材料，干蝕刻會產(chǎn)生氣態(tài)產(chǎn)物，這些產(chǎn)物應(yīng)擴散到大量氣體中并通過真空系統(tǒng)排出，干蝕刻有三種類型（例如等離子蝕刻）：化學(xué)反應(yīng)（通過使用反應(yīng)性等離子體或氣體），物理去除（通常通過動量傳遞）以及化學(xué)反應(yīng)和物理去除的組合，干蝕刻：利用不易被物理、化學(xué)作用破壞的物質(zhì)光阻來阻擋不欲去除的部分，利用電漿的離子轟擊效應(yīng)和化學(xué)反應(yīng)去掉想去除的部分，從而將所需要的線路圖形留在玻璃基板上。

另一方面，濕蝕刻僅是化學(xué)過程，干蝕刻等向性蝕刻與異向性蝕刻同時存在，濕蝕刻：利用化學(xué)藥液將需要蝕刻掉的物質(zhì)蝕刻掉，濕蝕刻為等向性蝕刻，濕蝕刻機臺便宜，蝕刻速度快，但難以jing確控制線寬和獲得極其精細的圖形并且需要大量用水，污染大；干蝕刻機臺價格昂貴，蝕刻速度速度慢，但可以jing確控制線寬能獲得極其精細的圖形，而且不需要用水，污染小，蝕刻工藝是一項工業(yè)應(yīng)用，涉及到我們生活中的全方面應(yīng)用，在工業(yè)制造中是不可缺少的中間工藝，其應(yīng)用領(lǐng)域緊密的以我們生活中的“吃、穿、住、行”為主要應(yīng)用，無論是行業(yè)應(yīng)用，或者是生活生產(chǎn)，蝕刻工藝是不可取代，且不可缺失的。

現(xiàn)在可以對涂覆的晶片進行濕法蝕刻以將所需的圖案雕刻到晶片中，各向同性蝕刻，即在所有方向上均相等的蝕刻，是指基材的方向不影響蝕刻劑去除材料的方式，如果允許蝕刻劑反應(yīng)足夠長的時間，如圖1所示，蝕刻劑將蝕刻掉稱為掩模底切的掩模下的基板材料，可以通過在底切掩模前先沖洗掉蝕刻劑，然后在通道上施加光刻膠來避免這種情況，加工出來的產(chǎn)品沒有毛刺，沒有臟污，表面更是光滑，蝕刻加工是其他機械的工藝都無法加工的高精密產(chǎn)品。