蝕刻是微制造過(guò)程中的一個(gè)重要步驟，術(shù)語(yǔ)蝕刻指的是在制造時(shí)從晶片表面去除層，這是一個(gè)非常重要的過(guò)程，每個(gè)晶片都要經(jīng)歷許多蝕刻過(guò)程，用于保護(hù)晶片免受蝕刻劑影響的材料被稱(chēng)為掩模材料，其用于許多蝕刻步驟中以抵抗蝕刻，該掩模材料可以是光致抗蝕劑，并且使用光刻法將其圖案化，蝕刻加工是現(xiàn)在常用的加工方式，主要應(yīng)用在金屬蝕刻、蝕刻標(biāo)牌、蝕刻五金以及PCB電路板上，蝕刻加工相比于傳統(tǒng)的沖壓、激光雕刻等方式，更加靈活，也更方便。

缺點(diǎn)包括許多化學(xué)廢物，其中許多是高酸性和多步過(guò)程，在蝕刻之前，需要掩蓋襯底的區(qū)域以獲得器件所需的詳細(xì)功能，在稱(chēng)為光刻的過(guò)程中，將光敏光刻膠旋涂到晶圓上，然后將晶片預(yù)烘烤以除去光刻膠中多余的溶劑，然后將具有所需特征的切口的掩模放置在光致抗蝕劑的頂部，并使用紫外光固化任何曝光的光致抗蝕劑，當(dāng)將腐蝕劑（一種腐蝕性化學(xué)品）施加到被掩膜的晶圓上時(shí)，在所有方向上未被掩膜覆蓋的區(qū)域中，蝕刻會(huì)以相同的速率發(fā)生，從而產(chǎn)生倒圓的邊緣。

現(xiàn)在可以對(duì)涂覆的晶片進(jìn)行濕法蝕刻以將所需的圖案雕刻到晶片中，各向同性蝕刻，即在所有方向上均相等的蝕刻，是指基材的方向不影響蝕刻劑去除材料的方式，如果允許蝕刻劑反應(yīng)足夠長(zhǎng)的時(shí)間，如圖1所示，蝕刻劑將蝕刻掉稱(chēng)為掩模底切的掩模下的基板材料，可以通過(guò)在底切掩模前先沖洗掉蝕刻劑，然后在通道上施加光刻膠來(lái)避免這種情況，加工出來(lái)的產(chǎn)品沒(méi)有毛刺，沒(méi)有臟污，表面更是光滑，蝕刻加工是其他機(jī)械的工藝都無(wú)法加工的高精密產(chǎn)品。