全印刷制備高密度柔性交叉線憶阻器
日期： 2019-05-24 瀏覽人數(shù)： 147 來源： 編輯：
呼和浩特紙箱永宏包裝公司：柔性憶阻器是柔性數(shù)據(jù)存儲設備的重要元件之一，隨著可穿戴數(shù)據(jù)監(jiān)測設備、人工智能芯片、商品RFID標簽等領域的快速發(fā)展，對憶阻器件在開關性能、尺寸、存儲密度和能耗等方面提出了更高要求。其中，交叉型憶阻器（crossbar memory devices）中每個交叉點即可作為一個獨立的功能單元存儲二進制信息，其獨特的結構設計滿足了功能單元高密度需求，被廣泛應用于柔性存儲器件中。
目前，大多數(shù)交叉型憶阻器都是通過基于光刻的微加工工藝制備，材料受限嚴重，且無法實現(xiàn)多材料精細三維微納結構的調控。
由于存儲器件高阻態(tài)（0）和低阻態(tài)（1）的開關比取決于電子傳輸途經(jīng)的電極和功能層之間界面性質,而傳統(tǒng)的加工制造方法容易破壞交叉點的界面均勻性，嚴重影響器件的性能。此外，對于平面交叉型存儲器件，由于存儲單元中導電通路的隨機性和多形態(tài)性，電阻值異常波動不可避免，導電通路的生長受到局部電場的嚴重影響。
近期，中科院化學研究所宋延林研究員課題組基于綠色印刷圖案化技術，全印刷制造高性能銀/絲素蛋白/銀結構的交叉型憶阻器件（如圖a）。通過控制液體在微模板上的干燥和去浸潤行為，電極和電極-功能層可分別呈現(xiàn)三棱錐狀共形結構。在柔性基底上，研究者采用曲線模板誘導形成抗拉伸的曲線交叉陣列(如圖b)。基于最密布線法則，印刷制備雙層交叉線陣列，其存儲密度達到2.5×105 bits/cm2，相較于其他印刷方法，存儲密度提高1000倍。在彎曲半徑5 mm情況下，器件開關比（ION/IOFF）大于106，保持時間大于104秒。呼和浩特紙箱公司印刷技術員表示，該柔性交叉線憶阻器件可應用于圖像存儲和顯示(如圖c)。這種全印刷加工方法為柔性多層微電子系統(tǒng)的制造提供了有效途徑，也展示出其在柔性智能器件上廣泛的應用前景。
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