在中國(guó)市場(chǎng)，分立功率半導(dǎo)體器件的市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)增長(zhǎng)，由2015年的110億美元增至2019年的145億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率約7.3%。展望未來(lái)，依據(jù)全球需求的普遍上升，加上中國(guó)制造分立器件如MOSFET、二極管及三極管的龐大產(chǎn)能，市場(chǎng)規(guī)模預(yù)期將會(huì)持續(xù)增長(zhǎng)。

　　在MOSFET下游應(yīng)用(如電動(dòng)車(chē)、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(連接至互聯(lián)網(wǎng)的實(shí)體裝置，即IoT)及消費(fèi)電子產(chǎn)品)的快速發(fā)展基礎(chǔ)下，按MOSFET銷(xiāo)售額劃分的市場(chǎng)規(guī)模已由2015年的37億美元增至2019年的53億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率約9.2%。

　　通過(guò)資金投資及科學(xué)合作發(fā)揮的巨大力量使電子產(chǎn)品及半導(dǎo)體器件的核心技術(shù)持續(xù)突破。例如，晶圓尺寸持續(xù)擴(kuò)大以滿(mǎn)足容納更多微芯的需求且中國(guó)硅料供應(yīng)商的目標(biāo)為在國(guó)內(nèi)開(kāi)發(fā)更大的12英寸晶圓，以取代現(xiàn)有的六英寸晶圓。因此，分立功率半導(dǎo)體器件制造商若具備敏感度并能符合新發(fā)展技術(shù)趨勢(shì)，將能建立其競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。